壓阻式壓力傳感器是利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。當(dāng)壓力發(fā)生變化時(shí)，單晶硅產(chǎn)生應(yīng)變，使直接擴(kuò)散在上面的應(yīng)變電阻產(chǎn)生于被測(cè)壓力成正比的變化，再由橋式電路獲相應(yīng)的電壓輸出信號(hào)。

      壓阻式壓力傳感器是基于半導(dǎo)體材料（單晶硅）的壓阻效應(yīng)原理制成的，利用集成電路工藝直接在硅平膜片上按一定晶向制成壓敏電阻。當(dāng)硅膜片受壓時(shí)，膜片的變形將使壓敏電阻的阻值發(fā)生變化。硅平膜片上的擴(kuò)散電阻通常構(gòu)成惠斯通電橋測(cè)量電路，橋臂電阻變化時(shí)，電橋輸出電壓與膜片所受壓力成對(duì)應(yīng)關(guān)系。溫濕度傳感器

      許多壓力傳感器的工作環(huán)境，都是比較惡劣的，像潮濕、酸堿腐蝕溶液或者充滿(mǎn)靜電顆粒和粉塵等。傳統(tǒng)硅壓阻式壓力傳感器，基本都把電阻排布在硅膜外表面直接與外界環(huán)境接觸，器件在工作過(guò)程中，外界環(huán)境物質(zhì)的腐蝕和靜電顆粒等都會(huì)使器件的性能和壽命大打折扣。為了提高器件在惡劣環(huán)境下的可靠性，目前普遍采用的是壓力變送的封裝技術(shù)，將壓力傳感器芯片封裝于充滿(mǎn)硅油的密閉結(jié)構(gòu)中，外加壓力通過(guò)硅油從不銹鋼膜片傳遞到壓力傳感器芯片上。溫濕度傳感器。

      目前廣泛使用的壓阻式壓力傳感器制備技術(shù)是：使用SOI材料并采用Si-Si鍵合方法來(lái)制作壓力傳感器，通過(guò)硅片減薄和擴(kuò)散工藝或離子注入的方法在薄膜上制作壓敏電阻。由于Si-Si鍵合工藝對(duì)硅片質(zhì)量和鍵合前硅片化學(xué)處理要求嚴(yán)格，大面積的Si-Si鍵合質(zhì)量和成功率很難得到保證，增大了器件的成本。如果采用低成本的硅－玻璃鍵合材料制備壓力傳感器，則制備工藝受制于玻璃的耐高溫性能（由于擴(kuò)散溫度和離子注入后的退火一般要高于1000℃，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了玻璃的熔點(diǎn)）。為了降低壓阻式壓力傳感器成本，提高制備成功率，作者將壓敏電阻安放在薄膜的下方，采用先擴(kuò)散或者離子注入的方法制作壓敏電阻，然后，再鍵合、減薄形成敏感薄膜。